TOKYO--(BUSINESS WIRE)--
Il metallo ossido semiconduttore a doppia diffusione laterale (lateral double diffusion metal-oxide-semiconductor, LDMOS) a canale N completamente isolato appena sviluppato da Toshiba presenta livelli elevati di robustezza HBM e tensione di scarica disruptiva alle polarizzazioni negative nei semiconduttori analogici della generazione 0,13 micron
Toshiba (TOKYO:6502) ha sviluppato una tecnologia per LDMOS a canale N completamente isolati che elimina il compromesso tra tensione di scarica disruptiva alle polarizzazioni negative (breakdown voltage to negative bias, BVnb) e robustezza HBM, un parametro di misurazione della resistenza alla scarica elettrostatica (electrostatic discharge, ESD). I dettagli relativi a tale novità sono stati comunicati il 1° giugno all'edizione del 2017 del Simposio internazionale sui dispositivi a semiconduttore sotto tensione e circuiti integrati (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2017), una conferenza internazionale sponsorizzata dall'IEEE dedicata ai semiconduttori sotto tensione tenuta in Giappone.
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