Toshiba Electronic Devices & Storage Presentará un Receptor de Baja Tensión de 5 GHz para Redes de Área Local Inalámbricas de Última Generación

TOKIO--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) anunció hoy el desarrollo de un receptor de baja tensión de 5 GHz para redes de área local (Local Area Network, LAN) inalámbricas IEEE802.11ax¹. La empresa dio a conocer detalles de la tecnología el 14 de septiembre durante la Conferencia Europea de Circuitos de Estado Sólido (European Solid-State Circuits Conference) en Bélgica.

El crecimiento continuo de la Internet de las Cosas exige comunicaciones de alta velocidad en entornos con cada vez más dispositivos LAN inalámbricos. IEEE 802.11ax, la LAN inalámbrica de última generación, será cuatro veces más rápida que la anterior, incluso en entornos de alta demanda. Sin embargo, el procesamiento de señales digitales de alta velocidad con baja disipación de potencia requiere la adopción de dispositivos semiconductores complementarios de óxido metálico (complementary metal–oxide–semiconductor, CMOS) más rápidos, que operen con una tensión de alimentación inferior a 1,0 V. A diferencia de los circuitos digitales, el rendimiento de los circuitos analógicos de CMOS, como los receptores CMOS de radiofrecuencia (RF²), se degrada drásticamente a medida que cae la tensión. Para solucionar este problema se requiere una nueva tecnología de circuito que pueda operar por debajo de 1,0 V.

TDSC ha desarrollado tres nuevas tecnologías para receptores RF de baja tensión.

La primera es un amplificador RF de linealidad variable (RFAMP). Dado que la amplitud de la señal se ve afectada por la tensión de alimentación, la linealidad de los RFAMP disminuye a medida que cae la tensión. El RFAMP convencional utiliza una resistencia variable para mejorar la linealidad, pero la tensión de corriente continua (CC) interna y el rendimiento del amplificador también se alteran al ajustar el valor de la resistencia. Para evitar estos problemas, el nuevo RFAMP de Toshiba emplea simultáneamente dos rutas de entrada: una ruta de alta linealidad y otra de ajuste de tensión interna. El RFAMP puede ajustar la linealidad sin ningún cambio en la tensión de CC interna.

La segunda es un convertidor de frecuencia de bajo ruido. Un convertidor de frecuencia conmuta una señal de RF recibida con una señal de baja frecuencia para poder introducirla en el convertidor analógico a digital. Los convertidores de frecuencia convencionales utilizan una fuente de CC para mejorar el rendimiento de los conmutadores de conversión en diseños de baja tensión, pero esta fuente de corriente adicional degrada el rendimiento con ruido de baja frecuencia. El nuevo convertidor de frecuencia de Toshiba elimina el ruido de baja frecuencia al trasladar la fuente de CC al área de RF de los conmutadores de conversión. El ruido de baja frecuencia se supra-convierte a la frecuencia de RF, la cual se separa de la señal de baja frecuencia deseada. De este modo, se logra un rendimiento suficiente del conmutador sin degradación por ruido.

La tercera es un amplificador operacional (OPAMP) sumador de corriente. El OPAMP amplifica la señal de baja frecuencia convertida para que alcance una altura suficiente para introducir la señal analógica en el convertidor digital. Dado que el nivel máximo de la señal de salida está limitado por la tensión de alimentación, el OPAMP se ve obligado a reducir su rango de tensión operativa. El nuevo OPAMP elimina la fuente de CC de la etapa de salida con un espejo de corriente diferencial de alta velocidad³, y proporciona una tensión de salida mayor incluso en un entorno de baja tensión.

La integración de estas tres tecnologías en un receptor de LAN inalámbrica de 5 GHz ha permitido a TDSC asegurar el nivel de rendimiento esencial para las redes de LAN inalámbricas de última generación.

TDSC continuará desarrollando el transceptor y contribuyendo al progreso de la comunicación inalámbrica de alta velocidad.

Notas
[1]		IEEE 802.11ax opera a frecuencias de 2,4 y 5 GHz. Mejorará el rendimiento promedio en entornos con densidades de terminales altas.
[2]		RF: Radiofrecuencia.
[3]		Espejo de corriente diferencial de alta velocidad: Un circuito de alta velocidad diseñado para copiar una corriente de entrada a salida según el factor designado. Un transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET) apilado se utiliza para mejorar la velocidad en el circuito.

Acerca de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) combina el vigor de una nueva empresa con la sabiduría de la experiencia. Desde que nos separamos de Toshiba Corporation en julio de 2017, hemos tomado nuestra posición entre las principales compañías de dispositivos generales y ofrecemos a nuestros clientes y socios comerciales soluciones sobresalientes en semiconductores discretos, integración a gran escala (large scale integration, LSI) de sistemas y unidades de disco duro (hard disk drive, HDD).

Nuestros 19 000 empleados en todo el mundo comparten la determinación de maximizar el valor de nuestros productos y enfatizan una estrecha colaboración con los clientes para promover la creación conjunta del valor y nuevos mercados. Esperamos poder aprovechar las ventas anuales que superan los 700 000 millones de yenes (6000 millones de USD) y contribuir a un futuro mejor para las personas de todo el mundo.

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